연세대학교 공동기기원 - Yonsei University

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장비 상세정보 테이블
엑스선 광전자분광기 (XPS(mono)) (K-alpha)
장비분야 표면분석
한글기기명 엑스선 광전자분광기 (XPS(mono))
영문기기명 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS(mono))
모델명 K-alpha
제조사 Thermo U. K.
사용구분 분석의뢰(시료)
설치장소 신촌캠퍼스 : 첨단과학기술연구관 211호
담당자 서정혜 / 02-2123-6978 / jhseo624@yonsei.ac.kr
  • XPS는 고체 시료의 표면에 특성 X-선을 입사하여 방출되는 광전자의 운동에너지를 측정함으로써 시료 표면층에 존재하는 원소의 종류와  검출된 원소의 조성비 및 화학적 결합상태를 알 수 있음.

 

 ‘Surface’, ‘depth’, ‘AR-XPS’ , ‘In-situ’  분석 중에서 측정 목적에 맞게 선택하여 예약해주세요.

  1. Surface analysis
    • 시료 표면으로부터 대략 5 nm 이내의 영역에 대한 분석.
    • Sputter cleaning (Ar ion beam)으로 시료 표면 에칭 후 분석 가능.

        2. Angle resolves XPS (AR-XPS)

    • 대략 5 nm 미만의 표면에서 각도를 바꿔 실험함으로써 비파괴적으로 Depth Profile (깊이방향 분석)을 할 수 있음.

       3. Depth Profile

    • Ar ion etching으로 시료 표면 에칭 후 분석하는 과정을 원하는 횟수만큼 반복하면서 수 십~수 백 nm정도의 깊이방향 분석 .

       4. In-situ (Vacuum Transfer Module)

    • Vacuum Transfer Module을 이용하여 글로브박스에서 시료를 로딩하여 시료를 공기중에 노출시키지않고 surface 또는 depth 분석이 가능.

 

 Detph 분석시 유의사항

scan mode와 snap mode로 측정할 수 있는데, 측정 사양 및 분석료 차이를 아래에서 확인해보시고 측정 모드를 선택하시어 예약 바랍니다.

< scan mode (high resolution) : chemical state 분석이 중요하고 etching 횟수가 적을 경우 추천 >

  • pass energy : 20 eV or 40 eV 등 선택 가능.
  • energy resolution이 0.5 eV 정도로 snap mode (1 eV 이상)보다 좋음 -> data fitting 및 chemical state분석에 용이함
  • 측정 시간 : 오래걸림, etching 하고 측정 한번 할때 마다 1시간 내외 소요 (예 : 10번 에칭 할 경우 시료당 10시간 내외(원소의 개수에 따라 상이함))
  • 분석료 : 측정한 시간 (60분 당) x surface 분석료 (교내: 50,000원, 타대학:85,000원, 교외:100,000원)

< snap mode : 조성비 분석이 중요하고 etching 횟수가 많을 경우 추천 >

  • pass energy : 100 eV 이상, energy resolution이 1eV 이상으로 scan mode보다 좋지 않음 -> data fitting 및 chemical state분석이 가능하지만 FWHM 값이 scan mode보다 큼 (peak이 더 broad함).
  • 측정 시간 : 짧게걸림, etching 하고 측정 한번(1 level) 할 때 마다 10분 내외 소요. (최대 : 60번 depth 할 경우, 시료당 6~8시간 내외 소요)
  • 분석료 : 측정 시료수 x depth 분석료 (교내:150,000원, 타대학:255,000원, 교외:300,000원)

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